Enduraz TS02 升级版超洁净全氟材质
特性与优势
- 超洁净、低析出物
- 优越的氧、氟等离子体耐受性
- 极低的颗粒生成量
- 低放气率
- 优异的密封性能
应用领域
- 腔体密封
- 气体管路密封
- 法兰密封
工艺应用
- 沉积工艺(PECVD, HDPCVD, SACVD, ALD, PVD)
- 干法刻蚀
- 湿法刻蚀
- 氧化/扩散
- 去胶工艺
- Remote plasma clean
性能参数
| 典型值 | ||
| 材质 | Enduraz TS02 | |
| 颜色 | 半透明 | |
| 硬度, Shore A | 67 | |
| 100%模量, Mpa |
2.8 (406) |
|
| 抗拉强度, Mpa |
14.0 (2032) |
|
| 延展性, % |
220 |
|
| 压缩形变: 204℃，70h |
30 |
|
| 工作温度 |
280°C |
|
针对越来越苛刻的等离子体/强腐蚀性气体工艺条件，芯密科技推出了升级版的超洁净全氟橡胶材质--Enduraz TS02。
Enduraz TS02保持了Enduraz TS01在金属含量、放气率、渗透率等指标上的优良性能，更在抗等离子体腐蚀能力与抗高温能力上有了进一步的提升。
Enduraz TS02的使用温度范围为-10至280°C，适用于大多数干法和湿法半导体工艺（包括CVD，干法蚀刻，晶片清洁，去光刻胶，湿法蚀刻，抛光等）的静态应用。
Enduraz TS02保持了Enduraz TS01在金属含量、放气率、渗透率等指标上的优良性能，更在抗等离子体腐蚀能力与抗高温能力上有了进一步的提升。
Enduraz TS02的使用温度范围为-10至280°C，适用于大多数干法和湿法半导体工艺（包括CVD，干法蚀刻，晶片清洁，去光刻胶，湿法蚀刻，抛光等）的静态应用。
